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GD150HFX65C1S
IGBT-Modul, Halbbrücke, 180 A, 1.45 V, 437 W, 150 °C, Modul
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Produktspezifikationen
HerstellerSTARPOWER
HerstellerteilenummerGD150HFX65C1S
Bestellnummer3549231
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationHalbbrücke
Dauerkollektorstrom180A
DC-Kollektorstrom180A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)1.45V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.45V
Verlustleistung Pd437W
Verlustleistung437W
Betriebstemperatur, max.150°C
Sperrschichttemperatur Tj, max.150°C
Bauform - TransistorModul
IGBT-AnschlussStiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo650V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.650V
IGBT-TechnologieTrench/Feldstop
TransistormontagePlatte
Produktpalette-
SVHCTo Be Advised
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Halbbrücke
DC-Kollektorstrom
180A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.45V
Verlustleistung
437W
Sperrschichttemperatur Tj, max.
150°C
IGBT-Anschluss
Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
650V
Transistormontage
Platte
SVHC
To Be Advised
Dauerkollektorstrom
180A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
1.45V
Verlustleistung Pd
437W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Bauform - Transistor
Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
650V
IGBT-Technologie
Trench/Feldstop
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.3