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GD200HFX65C1S
IGBT-Modul, Halbbrücke, 250 A, 1.45 V, 612 W, 150 °C, Modul
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Produktspezifikationen
HerstellerSTARPOWER
HerstellerteilenummerGD200HFX65C1S
Bestellnummer3549241
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationHalbbrücke
Dauerkollektorstrom250A
DC-Kollektorstrom250A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)1.45V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.45V
Verlustleistung612W
Verlustleistung Pd612W
Sperrschichttemperatur Tj, max.150°C
Betriebstemperatur, max.150°C
Bauform - TransistorModul
IGBT-AnschlussStiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung, max.650V
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo650V
IGBT-TechnologieTrench/Feldstop
TransistormontagePlatte
Produktpalette-
SVHCTo Be Advised
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Halbbrücke
DC-Kollektorstrom
250A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.45V
Verlustleistung Pd
612W
Betriebstemperatur, max.
150°C
IGBT-Anschluss
Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
650V
Transistormontage
Platte
SVHC
To Be Advised
Dauerkollektorstrom
250A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
1.45V
Verlustleistung
612W
Sperrschichttemperatur Tj, max.
150°C
Bauform - Transistor
Modul
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
650V
IGBT-Technologie
Trench/Feldstop
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.3