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GD50HFU120C1S
IGBT-Modul, Halbbrücke, 78 A, 3.15 V, 414 W, 150 °C, Modul
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Produktspezifikationen
HerstellerSTARPOWER
HerstellerteilenummerGD50HFU120C1S
Bestellnummer3912064
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationHalbbrücke
Dauerkollektorstrom78A
DC-Kollektorstrom78A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung3.15V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)3.15V
Verlustleistung414W
Verlustleistung Pd414W
Betriebstemperatur, max.150°C
Sperrschichttemperatur Tj, max.150°C
Bauform - TransistorModul
IGBT-AnschlussStiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo1.2kV
IGBT-TechnologieNPT IGBT [Standard]
TransistormontagePlatte
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2022)
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Halbbrücke
DC-Kollektorstrom
78A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
3.15V
Verlustleistung Pd
414W
Sperrschichttemperatur Tj, max.
150°C
IGBT-Anschluss
Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
1.2kV
Transistormontage
Platte
SVHC
No SVHC (17-Jan-2022)
Dauerkollektorstrom
78A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
3.15V
Verlustleistung
414W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Bauform - Transistor
Modul
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.2kV
IGBT-Technologie
NPT IGBT [Standard]
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für GD50HFU120C1S
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004536