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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerBDX53B
Bestellnummer1015775
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo80V
Verlustleistung Pd60W
DC-Kollektorstrom8A
Bauform - HF-TransistorTO-220
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE750hFE
TransistormontageDurchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
The BDX53B is a NPN complementary power Darlington Transistor manufactured in Planar Base Island technology. It offers monolithic Darlington configuration with integrated anti-parallel collector-emitter diode.
- Good hFE linearity
- High fT frequency
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Audio
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Verlustleistung Pd
60W
Bauform - HF-Transistor
TO-220
DC-Stromverstärkung hFE
750hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
80V
DC-Kollektorstrom
8A
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für BDX53B
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002