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HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerMJD45H11T4
Bestellnummer2341709
Technisches Datenblatt
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerMJD45H11T4
Bestellnummer2341709
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.80V
Dauerkollektorstrom8A
Verlustleistung20W
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz-MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.40hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
The MJD45H11T4 is a PNP complementary Power Transistor manufactured using low voltage Multi Epitaxial Planar technology. It is intended for general-purpose linear and switching applications.
- Low collector-emitter saturation voltage
- Fast switching speed
- Surface-mount power package
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
8A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
40hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
80V
Verlustleistung
20W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
-MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für MJD45H11T4
4 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000536
Produktnachverfolgung