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PD55003S-E
HF-FET-Transistor, 40 V, 2.5 A, 31.7 W, 520 MHz, 480 MHz, PowerSO-10RF
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerPD55003S-E
Bestellnummer4036344
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 10,620 |
| 5+ | € 9,470 |
| 10+ | € 8,320 |
| 50+ | € 7,400 |
| 100+ | € 7,110 |
| 250+ | € 6,800 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 10,62 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerPD55003S-E
Bestellnummer4036344
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id2.5A
Verlustleistung31.7W
Betriebsfrequenz, min.520MHz
Betriebsfrequenz, max.480MHz
Bauform - TransistorPowerSO-10RF
Anzahl der Pins2Pin(s)
Betriebstemperatur, max.165°C
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageFlanschklemme
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Verlustleistung
31.7W
Betriebsfrequenz, max.
480MHz
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
-
Dauer-Drainstrom Id
2.5A
Betriebsfrequenz, min.
520MHz
Bauform - Transistor
PowerSO-10RF
Betriebstemperatur, max.
165°C
Transistormontage
Flanschklemme
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00114
Produktnachverfolgung