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HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTB6NK60ZT4
Bestellnummer1752006
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
1+ | € 2,260 |
10+ | € 1,640 |
100+ | € 1,190 |
500+ | € 1,000 |
1000+ | € 0,994 |
5000+ | € 0,948 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTB6NK60ZT4
Bestellnummer1752006
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand1ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.75V
Verlustleistung110W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell STB6NK60ZT4 handelt es sich um einen n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit SuperMESH™-Technologie, Zener-Schutzdiode und minimaler Gate-Ladung. Dieser SuperMESH™-MOSFET wurde durch die deutliche Optimierung des bewährten, Strip-basierten PowerMESH™-Layouts von ST erreicht. Neben einer erheblichen Senkung des ON-Widerstands bietet dieser Baustein ein hervorragendes dV/dt-Verhalten für die anspruchsvollsten Anwendungen.
- 100% Avalanche tested
- Extremely high dV/dt capability
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
3A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
110W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.75V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001814