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Menge | |
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1+ | € 2,150 |
10+ | € 1,560 |
100+ | € 1,190 |
500+ | € 1,060 |
1000+ | € 0,938 |
5000+ | € 0,860 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell STB6NK60ZT4 handelt es sich um einen n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit SuperMESH™-Technologie, Zener-Schutzdiode und minimaler Gate-Ladung. Dieser SuperMESH™-MOSFET wurde durch die deutliche Optimierung des bewährten, Strip-basierten PowerMESH™-Layouts von ST erreicht. Neben einer erheblichen Senkung des ON-Widerstands bietet dieser Baustein ein hervorragendes dV/dt-Verhalten für die anspruchsvollsten Anwendungen.
- 100% Avalanche tested
- Extremely high dV/dt capability
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
n-Kanal
3A
TO-263 (D2PAK)
10V
110W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
600V
1ohm
Oberflächenmontage
3.75V
3Pin(s)
-
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat