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STGYA50H120DF2
IGBT, 100 A, 2.1 V, 535 W, 1.2 kV, MAX-247, 3 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTGYA50H120DF2
Bestellnummer3972507
ProduktpaletteProduktreihe Trench H
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 4,560 |
| 5+ | € 4,390 |
| 10+ | € 4,210 |
| 50+ | € 4,150 |
| 100+ | € 4,080 |
| 250+ | € 4,020 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 4,56 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTGYA50H120DF2
Bestellnummer3972507
ProduktpaletteProduktreihe Trench H
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom100A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung2.1V
Verlustleistung535W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.2kV
Bauform - TransistorMAX-247
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageDurchsteckmontage
ProduktpaletteProduktreihe Trench H
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
100A
Verlustleistung
535W
Bauform - Transistor
MAX-247
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
Produktreihe Trench H
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
2.1V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.2kV
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00443
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