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STP9NK50Z
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.2 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTP9NK50Z
Bestellnummer8165300
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 2,480 |
| 10+ | € 1,480 |
| 100+ | € 1,300 |
| 500+ | € 1,140 |
| 1000+ | € 1,060 |
| 5000+ | € 1,040 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 2,48 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTP9NK50Z
Bestellnummer8165300
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds500V
Dauer-Drainstrom Id7.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.85ohm
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.75V
Verlustleistung110W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell STP9NK50Z handelt es sich um einen mit einer Z-Diode geschützten SuperMESH™-n-Kanal-MOSFET, der durch die deutliche Optimierung des bewährten, Strip-basierten PowerMESH™-Layouts von ST erreicht wurde. Neben einer erheblichen Senkung des Durchgangswiderstands bietet dieser Baustein ein hervorragendes dV/dt-Verhalten für die anspruchsvollsten Anwendungen.
- RDS(on): 0.72 Ohm
- Hervorragendes dV/dt-Verhalten
- 100% Avalanche-getestet
- Minimierte Gate-Ladung
- Sehr niedrige intrinsische Kapazitäten
- Sehr gute Wiederholbarkeit bei der Herstellung
- Sperrschicht-Betriebstemperatur: -55 bis 150°C
Anwendungen
Power-Management, Beleuchtung, Industrie
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
7.2A
Bauform - Transistor
TO-220
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
110W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
500V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.85ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.75V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002