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TIP102
Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s)
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| Menge | |
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| 500+ | € 0,493 |
| 1000+ | € 0,432 |
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerTIP102
Bestellnummer1749429
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo100V
Verlustleistung Pd80W
DC-Kollektorstrom8A
Bauform - HF-TransistorTO-220
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE200hFE
TransistormontageDurchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
The TIP102 is a 100V Silicon Epitaxial Base NPN Complementary Power Transistor in monolithic Darlington configuration. It is intended for use in power linear and switching applications. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.
- Complementary to the TIP107
- Integrated anti-parallel collector-emitter diode
- Well-controlled hFE parameter for increased reliability
Anwendungen
Industrie, Audio, Power-Management, Motorantrieb & -steuerung
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Verlustleistung Pd
80W
Bauform - HF-Transistor
TO-220
DC-Stromverstärkung hFE
200hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
100V
DC-Kollektorstrom
8A
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für TIP102
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00195