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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerTIP137
Bestellnummer9804080
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo100V
Verlustleistung Pd70W
DC-Kollektorstrom8A
Bauform - HF-TransistorTO-220
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE1000hFE
TransistormontageDurchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produktbeschreibung
The TIP137 is a NPN complementary silicon epitaxial-base Power Transistor in monolithic Darlington configuration, mounted in a JEDEC plastic package. It is intended for use in power linear and switching applications.
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Verlustleistung Pd
70W
Bauform - HF-Transistor
TO-220
DC-Stromverstärkung hFE
1000hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
100V
DC-Kollektorstrom
8A
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für TIP137
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002