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CSD18543Q3AT
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0099 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTEXAS INSTRUMENTS
HerstellerteilenummerCSD18543Q3AT
Bestellnummer3125052
ProduktpaletteNexFET
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 1,670 |
| 10+ | € 1,110 |
| 100+ | € 0,991 |
| 500+ | € 0,873 |
| 1000+ | € 0,754 |
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Produktspezifikationen
HerstellerTEXAS INSTRUMENTS
HerstellerteilenummerCSD18543Q3AT
Bestellnummer3125052
ProduktpaletteNexFET
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0099ohm
Bauform - TransistorVSON
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung66W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteNexFET
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Produktbeschreibung
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Computer & Computerperipheriegeräte, Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
35A
Bauform - Transistor
VSON
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
66W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0099ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
NexFET
MSL
-
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
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