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CSD19537Q3T
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0145 ohm, VSON, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 1,640 |
| 10+ | € 1,120 |
| 100+ | € 0,698 |
| 500+ | € 0,586 |
| 1000+ | € 0,560 |
| 5000+ | € 0,549 |
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Produktspezifikationen
HerstellerTEXAS INSTRUMENTS
HerstellerteilenummerCSD19537Q3T
Bestellnummer3125064
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0145ohm
Bauform - TransistorVSON
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung83W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Produktbeschreibung
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Computer & Computerperipheriegeräte, Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
50A
Bauform - Transistor
VSON
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
83W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0145ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Alternativen für CSD19537Q3T
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000363
Produktnachverfolgung