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Produktspezifikationen
HerstellerTEXAS INSTRUMENTS
HerstellerteilenummerCSD88539ND
Bestellnummer3125083RL
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal60V
Drain-Source-Spannung Vds60V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal60V
Dauer-Drainstrom Id15A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal15A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.023ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.023ohm
Bauform - TransistorSOIC
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal2.1W
Verlustleistung, p-Kanal2.1W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Produktbeschreibung
The CSD88539ND is a NexFET™ dual N-channel Power MOSFET designed to serve as a half bridge in low current motor control applications.
- Ultra-low Qg and Qgd
- Avalanche rated
- Halogen-free
Anwendungen
Industrie, Motorantrieb & -steuerung, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Dauer-Drainstrom Id
15A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.023ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
2.1W
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
60V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.023ohm
Bauform - Transistor
SOIC
Verlustleistung, n-Kanal
2.1W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000726
Produktnachverfolgung