Zweifache MOSFET
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| Hersteller-Teilenr. | Bestellnummer | Beschreibung / Hersteller | Verfügbarkeit | Preiseinheit: |
Preis
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Menge | Wandlerpolarität | Dauer-Drainstrom Id | Drain-Source-Spannung Vds | Betriebswiderstand, Rds(on) | Rds(on)-Messspannung Vgs | Transistormontage | Schwellenspannung Vgs | Bauform - Transistor | Verlustleistung Pd | Anzahl der Pins | Betriebstemperatur, max. | Produktpalette | Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4946CDY-T1-GE3
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2846626 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.033 ohm, SOIC, Oberflächenmontage VISHAY
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1+ € 1,19 10+ € 0,939 100+ € 0,73 500+ € 0,691 |
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n-Kanal | 6.1A | 60V | 0.033ohm | 10V | Oberflächenmontage | 3V | SOIC | 2.8W | 8Pin(s) | 150°C | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7341GTRPBF
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2839483 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.043 ohm, SOIC, Oberflächenmontage INFINEON
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1+ € 2,90 10+ € 2,17 100+ € 1,85 500+ € 1,53 |
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n-Kanal | 5.1A | 55V | 0.043ohm | 10V | Oberflächenmontage | 1V | SOIC | 1.7W | 8Pin(s) | 175°C | HEXFET Series | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PMDT290UNEH
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3585614 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.29 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage NEXPERIA
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5+ € 0,628 10+ € 0,438 100+ € 0,28 500+ € 0,196 |
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n-Kanal | 800mA | 20V | 0.29ohm | 4.5V | Oberflächenmontage | 750mV | SOT-666 | 500mW | 6Pin(s) | 150°C | Trench Series | AEC-Q101 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SH8JB5TB1
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3639774 |
Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.5 A, 0.0124 ohm, SOP, Oberflächenmontage ROHM
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1+ € 2,71 10+ € 2,25 100+ € 1,67 500+ € 1,38 |
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p-Kanal | 8.5A | 40V | 0.0124ohm | 10V | Oberflächenmontage | 2.5V | SOP | 2W | 8Pin(s) | 150°C | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DMN53D0LDW-7
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3405243 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 360 mA, 1.6 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage DIODES INC.
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Stück (Gurtabschnitt) |
5+ € 0,459 10+ € 0,344 100+ € 0,18 500+ € 0,115 |
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n-Kanal | 360mA | 50V | 1.6ohm | 10V | Oberflächenmontage | 1.5V | SOT-363 | 310mW | 6Pin(s) | 150°C | - | AEC-Q101 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ4946CEY-T1_GE3
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3587059 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.033 ohm, SOIC, Oberflächenmontage VISHAY
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1+ € 1,08 10+ € 0,875 100+ € 0,651 500+ € 0,552 |
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1
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n-Kanal | 7A | 60V | 0.033ohm | 10V | Oberflächenmontage | 2V | SOIC | 4W | 8Pin(s) | 175°C | TrenchFET Series | AEC-Q101 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NX3008CBKS,115
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2069539 |
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage NEXPERIA
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5+ € 0,473 10+ € 0,306 100+ € 0,154 500+ € 0,119 |
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Komplementärer n- und p-Kanal | 350mA | 30V | 1ohm | 4.5V | Oberflächenmontage | 900mV | SOT-363 | 280mW | 6Pin(s) | 150°C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4948BEY-T1-GE3
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1779277 |
Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage VISHAY
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1+ € 1,65 10+ € 1,39 100+ € 1,02 500+ € 0,841 |
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p-Kanal | 2.4A | 60V | 0.1ohm | 10V | Oberflächenmontage | 3V | SOIC | 2.4W | 8Pin(s) | 175°C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6982AS
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1495216 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage ONSEMI
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5+ € 1,32 10+ € 1,10 100+ € 0,782 500+ € 0,617 |
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n-Kanal | 6.3A | 30V | 0.011ohm | 10V | Oberflächenmontage | 1.9V | SOIC | 2W | 8Pin(s) | 150°C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4948BEY-T1-E3
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2396086 |
Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage VISHAY
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Stück (Gurtabschnitt) |
1+ € 1,65 10+ € 1,39 100+ € 1,02 500+ € 0,841 |
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p-Kanal | 2.4A | 60V | 0.1ohm | 10V | Oberflächenmontage | 3V | SOIC | 1.4W | 8Pin(s) | 175°C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS8402DW-7-F
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1713834 |
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage DIODES INC.
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5+ € 0,695 10+ € 0,581 100+ € 0,389 500+ € 0,305 |
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Komplementärer n- und p-Kanal | 115mA | 60V | 13.5ohm | 10V | Oberflächenmontage | 2.5V | SOT-363 | 200mW | 6Pin(s) | 150°C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NX3008CBKV,115
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2069540 |
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 400 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage NEXPERIA
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Stück |
5+ € 0,473 10+ € 0,321 100+ € 0,157 500+ € 0,132 |
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5
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Komplementärer n- und p-Kanal | 400mA | 30V | 1ohm | 4.5V | Oberflächenmontage | 900mV | SOT-666 | 330mW | 6Pin(s) | 150°C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI1016CX-T1-GE3
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2056711 |
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.33 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage VISHAY
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Stück (Gurtabschnitt) |
5+ € 0,583 10+ € 0,455 100+ € 0,281 500+ € 0,234 |
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5
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Komplementärer n- und p-Kanal | 600mA | 20V | 0.33ohm | 4.5V | Oberflächenmontage | 400mV | SOT-563 | 220mW | 6Pin(s) | 150°C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4948BEY-T1-GE3
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1779277RL |
Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage VISHAY
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Stück (Gurtabschnitt)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von € 5,00 an
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10+ € 1,39 100+ € 1,02 500+ € 0,841 |
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1
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p-Kanal | 2.4A | 60V | 0.1ohm | 10V | Oberflächenmontage | 3V | SOIC | 2.4W | 8Pin(s) | 175°C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMC3028LSD
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2061402 |
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.028 ohm, SOIC, Oberflächenmontage DIODES INC.
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Stück (Gurtabschnitt) |
5+ € 0,786 10+ € 0,66 100+ € 0,444 500+ € 0,348 |
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5
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Komplementärer n- und p-Kanal | 5.5A | 30V | 0.028ohm | 10V | Oberflächenmontage | 1V | SOIC | 1.3W | 8Pin(s) | 150°C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4532CDY-T1-GE3
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1779268 |
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage VISHAY
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Stück (Gurtabschnitt) |
1+ € 0,873 10+ € 0,744 100+ € 0,515 500+ € 0,408 |
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1
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Komplementärer n- und p-Kanal | 6A | 30V | 0.038ohm | 10V | Oberflächenmontage | 1V | SOIC | 2.78W | 8Pin(s) | 150°C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMS3660S
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2322592 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0013 ohm, Power 56, Oberflächenmontage ONSEMI
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Stück |
1+ € 2,16 10+ € 1,78 100+ € 1,34 500+ € 1,10 |
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1
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n-Kanal | 60A | 30V | 0.0013ohm | 10V | Oberflächenmontage | 1.5V | Power 56 | 2.5W | 8Pin(s) | 150°C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6301N..
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1700673 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 5 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage ONSEMI
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Stück (Gurtabschnitt) |
5+ € 0,668 10+ € 0,537 100+ € 0,327 500+ € 0,246 |
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5
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n-Kanal | 220mA | 25V | 5ohm | 4.5V | Oberflächenmontage | 850mV | SuperSOT | 900mW | 6Pin(s) | 150°C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NX3008PBKS,115
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2069548 |
Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 2.8 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage NEXPERIA
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Stück |
5+ € 0,446 10+ € 0,282 100+ € 0,143 500+ € 0,107 |
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5
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p-Kanal | 200mA | 30V | 2.8ohm | 4.5V | Oberflächenmontage | 900mV | SOT-363 | 280mW | 6Pin(s) | 150°C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4204DY-T1-GE3
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2335306 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 19.8 A, 0.0038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage VISHAY
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Stück |
1+ € 2,30 10+ € 1,68 100+ € 1,43 500+ € 1,22 |
Eingeschränkter Artikel
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Mult:
1
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n-Kanal | 19.8A | 20V | 0.0038ohm | 10V | Oberflächenmontage | 1V | SOIC | 3.25W | 8Pin(s) | 150°C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6420C
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1467968 |
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage ONSEMI
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Stück (Gurtabschnitt) |
5+ € 0,707 10+ € 0,589 100+ € 0,394 500+ € 0,311 |
Eingeschränkter Artikel
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Mult:
5
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Komplementärer n- und p-Kanal | 3A | 20V | 0.07ohm | 4.5V | Oberflächenmontage | 900mV | SuperSOT | 960mW | 6Pin(s) | 150°C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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QS6M3TR
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1525473 |
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.17 ohm, TSMT, Oberflächenmontage ROHM
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Stück (Gurtabschnitt) |
5+ € 0,679 10+ € 0,57 100+ € 0,383 500+ € 0,301 |
Eingeschränkter Artikel
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Mult:
5
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Komplementärer n- und p-Kanal | 1.5A | 20V | 0.17ohm | 4.5V | Oberflächenmontage | 1.5V | TSMT | 900mW | 6Pin(s) | 150°C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS84AKS,115
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1972665 |
Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 160 mA, 4.5 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage NEXPERIA
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Stück (Gurtabschnitt) |
5+ € 0,446 10+ € 0,316 100+ € 0,166 500+ € 0,109 |
Eingeschränkter Artikel
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Mult:
5
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p-Kanal | 160mA | 50V | 4.5ohm | 10V | Oberflächenmontage | 1.6V | SOT-363 | 445mW | 6Pin(s) | 150°C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS84AKS,115
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1972665RL |
Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 160 mA, 4.5 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage NEXPERIA
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Stück (Gurtabschnitt)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von € 5,00 an
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100+ € 0,166 500+ € 0,109 |
Eingeschränkter Artikel
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Mult:
5
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p-Kanal | 160mA | 50V | 4.5ohm | 10V | Oberflächenmontage | 1.6V | SOT-363 | 445mW | 6Pin(s) | 150°C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PMGD290XN,115
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1758099 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.29 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage NEXPERIA
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Stück (Gurtabschnitt) |
5+ € 0,537 10+ € 0,359 100+ € 0,19 500+ € 0,155 |
Eingeschränkter Artikel
Die Mindestbestellmenge beträgt 5 Artikel Nur Vielfache von 5 Bitte geben Sie eine gültigen Menge ein Min: 5
Mult:
5
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n-Kanal | 200mA | 20V | 0.29ohm | 4.5V | Oberflächenmontage | 1V | SOT-363 | 410mW | 6Pin(s) | 150°C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||