Zweifache MOSFET

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SI4946CDY-T1-GE3
SI4946CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.033 ohm, SOIC, Oberflächenmontage

2846626

Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.033 ohm, SOIC, Oberflächenmontage

VISHAY

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n-Kanal 6.1A 60V 0.033ohm 10V Oberflächenmontage 3V SOIC 2.8W 8Pin(s) 150°C - -
IRF7341GTRPBF
IRF7341GTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.043 ohm, SOIC, Oberflächenmontage

2839483

Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.043 ohm, SOIC, Oberflächenmontage

INFINEON

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n-Kanal 5.1A 55V 0.043ohm 10V Oberflächenmontage 1V SOIC 1.7W 8Pin(s) 175°C HEXFET Series -
PMDT290UNEH
PMDT290UNEH - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.29 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage

3585614

Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.29 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage

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n-Kanal 800mA 20V 0.29ohm 4.5V Oberflächenmontage 750mV SOT-666 500mW 6Pin(s) 150°C Trench Series AEC-Q101
SH8JB5TB1
SH8JB5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.5 A, 0.0124 ohm, SOP, Oberflächenmontage

3639774

Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.5 A, 0.0124 ohm, SOP, Oberflächenmontage

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p-Kanal 8.5A 40V 0.0124ohm 10V Oberflächenmontage 2.5V SOP 2W 8Pin(s) 150°C - -
DMN53D0LDW-7
DMN53D0LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 360 mA, 1.6 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage

3405243

Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 360 mA, 1.6 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage

DIODES INC.

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n-Kanal 360mA 50V 1.6ohm 10V Oberflächenmontage 1.5V SOT-363 310mW 6Pin(s) 150°C - AEC-Q101
SQ4946CEY-T1_GE3
SQ4946CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.033 ohm, SOIC, Oberflächenmontage

3587059

Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.033 ohm, SOIC, Oberflächenmontage

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n-Kanal 7A 60V 0.033ohm 10V Oberflächenmontage 2V SOIC 4W 8Pin(s) 175°C TrenchFET Series AEC-Q101
NX3008CBKS,115
NX3008CBKS,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage

2069539

Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage

NEXPERIA

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Komplementärer n- und p-Kanal 350mA 30V 1ohm 4.5V Oberflächenmontage 900mV SOT-363 280mW 6Pin(s) 150°C - -
SI4948BEY-T1-GE3
SI4948BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage

1779277

Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage

VISHAY

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p-Kanal 2.4A 60V 0.1ohm 10V Oberflächenmontage 3V SOIC 2.4W 8Pin(s) 175°C - -
FDS6982AS
FDS6982AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage

1495216

Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage

ONSEMI

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n-Kanal 6.3A 30V 0.011ohm 10V Oberflächenmontage 1.9V SOIC 2W 8Pin(s) 150°C - -
SI4948BEY-T1-E3
SI4948BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage

2396086

Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage

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BSS8402DW-7-F
BSS8402DW-7-F - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage

1713834

Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage

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Komplementärer n- und p-Kanal 115mA 60V 13.5ohm 10V Oberflächenmontage 2.5V SOT-363 200mW 6Pin(s) 150°C - -
NX3008CBKV,115
NX3008CBKV,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 400 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage

2069540

Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 400 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage

NEXPERIA

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Komplementärer n- und p-Kanal 400mA 30V 1ohm 4.5V Oberflächenmontage 900mV SOT-666 330mW 6Pin(s) 150°C - -
SI1016CX-T1-GE3
SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.33 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage

2056711

Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.33 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage

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Komplementärer n- und p-Kanal 600mA 20V 0.33ohm 4.5V Oberflächenmontage 400mV SOT-563 220mW 6Pin(s) 150°C - -
SI4948BEY-T1-GE3
SI4948BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage

1779277RL

Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage

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p-Kanal 2.4A 60V 0.1ohm 10V Oberflächenmontage 3V SOIC 2.4W 8Pin(s) 175°C - -
DMC3028LSD
DMC3028LSD - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.028 ohm, SOIC, Oberflächenmontage

2061402

Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.028 ohm, SOIC, Oberflächenmontage

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Komplementärer n- und p-Kanal 5.5A 30V 0.028ohm 10V Oberflächenmontage 1V SOIC 1.3W 8Pin(s) 150°C - -
SI4532CDY-T1-GE3
SI4532CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage

1779268

Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage

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Komplementärer n- und p-Kanal 6A 30V 0.038ohm 10V Oberflächenmontage 1V SOIC 2.78W 8Pin(s) 150°C - -
FDMS3660S
FDMS3660S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0013 ohm, Power 56, Oberflächenmontage

2322592

Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0013 ohm, Power 56, Oberflächenmontage

ONSEMI

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n-Kanal 60A 30V 0.0013ohm 10V Oberflächenmontage 1.5V Power 56 2.5W 8Pin(s) 150°C - -
FDC6301N..
FDC6301N.. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 5 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage

1700673

Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 5 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage

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n-Kanal 220mA 25V 5ohm 4.5V Oberflächenmontage 850mV SuperSOT 900mW 6Pin(s) 150°C - -
NX3008PBKS,115
NX3008PBKS,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 2.8 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage

2069548

Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 2.8 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage

NEXPERIA

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p-Kanal 200mA 30V 2.8ohm 4.5V Oberflächenmontage 900mV SOT-363 280mW 6Pin(s) 150°C - -
SI4204DY-T1-GE3
SI4204DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 19.8 A, 0.0038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage

2335306

Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 19.8 A, 0.0038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage

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n-Kanal 19.8A 20V 0.0038ohm 10V Oberflächenmontage 1V SOIC 3.25W 8Pin(s) 150°C - -
FDC6420C
FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage

1467968

Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage

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Komplementärer n- und p-Kanal 3A 20V 0.07ohm 4.5V Oberflächenmontage 900mV SuperSOT 960mW 6Pin(s) 150°C - -
QS6M3TR
QS6M3TR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.17 ohm, TSMT, Oberflächenmontage

1525473

Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.17 ohm, TSMT, Oberflächenmontage

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Komplementärer n- und p-Kanal 1.5A 20V 0.17ohm 4.5V Oberflächenmontage 1.5V TSMT 900mW 6Pin(s) 150°C - -
BSS84AKS,115
BSS84AKS,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 160 mA, 4.5 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage

1972665

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1972665RL in Re-Reel

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p-Kanal 160mA 50V 4.5ohm 10V Oberflächenmontage 1.6V SOT-363 445mW 6Pin(s) 150°C - -
BSS84AKS,115
BSS84AKS,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 160 mA, 4.5 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage

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p-Kanal 160mA 50V 4.5ohm 10V Oberflächenmontage 1.6V SOT-363 445mW 6Pin(s) 150°C - -
PMGD290XN,115
PMGD290XN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.29 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage

1758099

Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.29 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage

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n-Kanal 200mA 20V 0.29ohm 4.5V Oberflächenmontage 1V SOT-363 410mW 6Pin(s) 150°C - -