Zweifache MOSFET
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| Hersteller-Teilenr. | Bestellnummer | Beschreibung / Hersteller | Verfügbarkeit | Preiseinheit: |
Preis
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Menge | Wandlerpolarität | Dauer-Drainstrom Id | Drain-Source-Spannung Vds | Betriebswiderstand, Rds(on) | Rds(on)-Prüfspannung | Transistormontage | Gate-Source-Schwellenspannung, max. | Bauform - Transistor | Verlustleistung Pd | Anzahl der Pins | Betriebstemperatur, max. | Produktpalette | Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS138DW-7-F
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1713832 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage DIODES INC.
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Stück (Gurtabschnitt) |
5+ € 0,625 10+ € 0,509 100+ € 0,348 500+ € 0,261 |
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n-Kanal | 200mA | 50V | 3.5ohm | 10V | Oberflächenmontage | 1.2V | SOT-363 | 200mW | 6Pin(s) | 150°C | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NX3008CBKS,115
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2069539 |
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage NEXPERIA
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Stück (Gurtabschnitt) |
5+ € 0,305 10+ € 0,20 100+ € 0,108 500+ € 0,088 |
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Komplementärer n- und p-Kanal | 350mA | 30V | 1ohm | 4.5V | Oberflächenmontage | 900mV | SOT-363 | 280mW | 6Pin(s) | 150°C | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTJD4001NT1G
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1704019 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 250 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage ONSEMI
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5+ € 0,475 10+ € 0,394 100+ € 0,269 500+ € 0,151 |
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n-Kanal | 250mA | 30V | 1ohm | 4V | Oberflächenmontage | 1.2V | SOT-363 | 272mW | 6Pin(s) | 150°C | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NX3008NBKS,115
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2069542 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage NEXPERIA
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Stück (Gurtabschnitt) |
5+ € 0,28 10+ € 0,184 100+ € 0,10 500+ € 0,079 |
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n-Kanal | 350mA | 30V | 1ohm | 4.5V | Oberflächenmontage | 900mV | SOT-363 | 445mW | 6Pin(s) | 150°C | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SI4963BDY-T1-E3
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2335325 |
Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage VISHAY
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Stück |
1+ € 1,78 10+ € 1,51 100+ € 1,29 500+ € 1,06 |
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p-Kanal | 4.9A | 20V | 0.025ohm | 2.5V | Oberflächenmontage | 1.4V | SOIC | 1.1W | 8Pin(s) | 150°C | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS8402DW-7-F
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1713834 |
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage DIODES INC.
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Stück (Gurtabschnitt) |
5+ € 0,663 10+ € 0,569 100+ € 0,425 500+ € 0,334 |
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Komplementärer n- und p-Kanal | 115mA | 60V | 13.5ohm | 10V | Oberflächenmontage | 2.5V | SOT-363 | 200mW | 6Pin(s) | 150°C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7343TRPBF
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2097999 |
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm, SOIC, Oberflächenmontage INFINEON
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Stück |
1+ € 1,32 10+ € 1,19 100+ € 0,921 500+ € 0,761 |
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Komplementärer n- und p-Kanal | 4.7A | 55V | 0.043ohm | 10V | Oberflächenmontage | 1V | SOIC | 2W | 8Pin(s) | 150°C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMP3056LSD
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2061421 |
Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage DIODES INC.
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Stück |
1+ € 0,938 10+ € 0,823 100+ € 0,631 500+ € 0,499 |
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p-Kanal | 6.9A | 30V | 0.045ohm | 10V | Oberflächenmontage | 1.7V | SOIC | 2.5W | 8Pin(s) | 150°C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMS3660S
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2322592 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0013 ohm, Power 56, Oberflächenmontage ONSEMI
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Stück |
1+ € 2,19 10+ € 1,86 100+ € 1,58 500+ € 1,30 |
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n-Kanal | 60A | 30V | 0.0013ohm | 10V | Oberflächenmontage | 1.5V | Power 56 | 2.5W | 8Pin(s) | 150°C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS9926A
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1467990 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage ONSEMI
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Stück (Gurtabschnitt) |
5+ € 0,75 10+ € 0,664 100+ € 0,509 500+ € 0,403 |
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n-Kanal | 6.5A | 20V | 0.025ohm | 4.5V | Oberflächenmontage | 1V | SOIC | 2W | 8Pin(s) | 150°C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7509TRPBF
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1611421 |
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.11 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage INFINEON
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1+ € 0,94 10+ € 0,834 100+ € 0,64 500+ € 0,506 |
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Komplementärer n- und p-Kanal | 2.7A | 30V | 0.11ohm | 10V | Oberflächenmontage | 1V | µSOIC | 1.25W | 8Pin(s) | 150°C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQS4901TF
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2453448 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 450 mA, 3.2 ohm, SOP, Oberflächenmontage ONSEMI
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Stück (Gurtabschnitt) |
1+ € 1,78 10+ € 1,60 100+ € 1,24 500+ € 0,82 |
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n-Kanal | 450mA | 400V | 3.2ohm | 10V | Oberflächenmontage | 4V | SOP | 2W | 8Pin(s) | 150°C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002PS,115
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1859846 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage NEXPERIA
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5+ € 0,47 10+ € 0,348 100+ € 0,198 500+ € 0,131 |
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n-Kanal | 320mA | 60V | 1ohm | 10V | Oberflächenmontage | 1.75V | SOT-363 | 320mW | 6Pin(s) | 150°C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7319TRPBF
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2468012 |
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.023 ohm, SOIC, Oberflächenmontage INFINEON
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Stück (Gurtabschnitt) |
1+ € 1,36 10+ € 1,23 100+ € 0,953 500+ € 0,788 |
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Komplementärer n- und p-Kanal | 6.5A | 30V | 0.023ohm | 10V | Oberflächenmontage | 1V | SOIC | 2W | 8Pin(s) | 150°C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7103TRPBF
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2467996 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.11 ohm, SOIC, Oberflächenmontage INFINEON
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Stück (Gurtabschnitt) |
1+ € 1,11 10+ € 0,978 100+ € 0,75 500+ € 0,593 |
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n-Kanal | 3A | 50V | 0.11ohm | 10V | Oberflächenmontage | 3V | SOIC | 2W | 8Pin(s) | 150°C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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QS6M3TR
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1525473 |
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.17 ohm, TSMT, Oberflächenmontage ROHM
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1+ € 0,813 10+ € 0,696 100+ € 0,52 500+ € 0,409 |
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Komplementärer n- und p-Kanal | 1.5A | 20V | 0.17ohm | 4.5V | Oberflächenmontage | 1.5V | TSMT | 900mW | 6Pin(s) | 150°C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS84AKS,115
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1972665 |
Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 160 mA, 4.5 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage NEXPERIA
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Stück (Gurtabschnitt) |
5+ € 0,47 10+ € 0,348 100+ € 0,198 500+ € 0,131 |
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p-Kanal | 160mA | 50V | 4.5ohm | 10V | Oberflächenmontage | 1.6V | SOT-363 | 445mW | 6Pin(s) | 150°C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRF7341QTR
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2725790 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.043 ohm, SOIC, Oberflächenmontage INFINEON
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Stück (Gurtabschnitt) |
1+ € 2,99 10+ € 2,69 100+ € 2,17 500+ € 1,78 |
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n-Kanal | 5.1A | 55V | 0.043ohm | 10V | Oberflächenmontage | 3V | SOIC | 2.4W | 8Pin(s) | 175°C | HEXFET | AEC-Q101 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMG1029SV-7
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2543528 |
Dual-MOSFET, AEC-Q101, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.3 ohm, SOT-563 DIODES INC.
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Stück (Gurtabschnitt) |
5+ € 0,473 10+ € 0,388 100+ € 0,265 500+ € 0,199 |
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Komplementärer n- und p-Kanal | 500mA | 60V | 1.3ohm | 10V | Oberflächenmontage | 2.5V | SOT-563 | 450mW | 6Pin(s) | 150°C | - | AEC-Q101 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLHS6276TRPBF
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2726004 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.4 A, 0.033 ohm, PQFN, Oberflächenmontage INFINEON
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Stück (Gurtabschnitt) |
1+ € 0,81 10+ € 0,715 100+ € 0,548 500+ € 0,433 |
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1
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n-Kanal | 3.4A | 20V | 0.033ohm | 4.5V | Oberflächenmontage | 800mV | PQFN | 6.6W | 6Pin(s) | 150°C | HEXFET | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7905TRPBF
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2803418 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.8 A, 0.0174 ohm, SOIC, Oberflächenmontage INFINEON
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Stück (Gurtabschnitt) |
1+ € 1,14 10+ € 1,03 100+ € 0,80 500+ € 0,661 |
Eingeschränkter Artikel
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1
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n-Kanal | 7.8A | 30V | 0.0174ohm | 10V | Oberflächenmontage | 1.8V | SOIC | 2W | 8Pin(s) | 150°C | HEXFET | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF8915TRPBF
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2579951 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8.9 A, 0.0146 ohm, SOIC, Oberflächenmontage INFINEON
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Stück (Gurtabschnitt) |
1+ € 0,99 10+ € 0,887 100+ € 0,692 500+ € 0,572 |
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1
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n-Kanal | 8.9A | 20V | 0.0146ohm | 10V | Oberflächenmontage | 2.5V | SOIC | 2W | 8Pin(s) | 150°C | HEXFET | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIZ998DT-T1-GE3
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2802799 |
Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0022 ohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage VISHAY
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Stück (Gurtabschnitt) |
1+ € 1,57 10+ € 1,38 100+ € 1,09 500+ € 0,902 |
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1
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n-Kanal + Schottky | 60A | 30V | 0.0022ohm | 10V | Oberflächenmontage | 2.2V | PowerPAIR | 32.9W | 8Pin(s) | 150°C | TrenchFET | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UM6K31NFHATCN
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2576217 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage ROHM
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Stück (Gurtabschnitt) |
5+ € 0,572 100+ € 0,267 500+ € 0,183 |
Eingeschränkter Artikel
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5
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n-Kanal | 250mA | 60V | 1.7ohm | 10V | Oberflächenmontage | 2.3V | SOT-363 | 150mW | 6Pin(s) | 150°C | - | AEC-Q101 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC0910NDIATMA1
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2839431 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0035 ohm, TISON, Oberflächenmontage INFINEON
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Stück (Gurtabschnitt) |
1+ € 2,92 10+ € 2,64 100+ € 2,12 500+ € 1,74 |
Eingeschränkter Artikel
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n-Kanal | 40A | 25V | 0.0035ohm | 10V | Oberflächenmontage | 2V | TISON | 2.5W | 8Pin(s) | 150°C | OptiMOS | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||