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RN1427(TE85L,F)
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 800 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerRN1427(TE85L,F)
Bestellnummer4707858
Auch bekannt alsRN1427
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
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| 10+ | € 0,305 |
| 100+ | € 0,194 |
| 500+ | € 0,146 |
| 1000+ | € 0,131 |
| 5000+ | € 0,117 |
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerRN1427(TE85L,F)
Bestellnummer4707858
Auch bekannt alsRN1427
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.50V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.-
Dauerkollektorstrom800mA
Basis-Eingangswiderstand R12.2kohm
Basis-Emitter-Widerstand R210kohm
Bauform - TransistorSC-59
Anzahl der Pins3 Pins
TransistormontageOberflächenmontage
Verlustleistung200mW
Betriebstemperatur, max.150°C
DC-Stromverstärkung (hFE), min.90hFE
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
-
Basis-Eingangswiderstand R1
2.2kohm
Bauform - Transistor
SC-59
Transistormontage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
50V
Dauerkollektorstrom
800mA
Basis-Emitter-Widerstand R2
10kohm
Anzahl der Pins
3 Pins
Verlustleistung
200mW
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
90hFE
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002747
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