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RN4985,LF(CT
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerRN4985,LF(CT
Bestellnummer4387329
Auch bekannt alsRN4985, RN4985,LF
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
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| 50+ | € 0,133 |
| 100+ | € 0,0823 |
| 500+ | € 0,0603 |
| 1500+ | € 0,0536 |
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerRN4985,LF(CT
Bestellnummer4387329
Auch bekannt alsRN4985, RN4985,LF
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN, PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.50V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.50V
Dauerkollektorstrom100mA
Basis-Eingangswiderstand R12.2kohm
Basis-Emitter-Widerstand R2-
Bauform - TransistorSOT-363
Anzahl der Pins6 Pins
TransistormontageOberflächenmontage
Verlustleistung200mW
Betriebstemperatur, max.150°C
DC-Stromverstärkung (hFE), min.80hFE
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN, PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
50V
Basis-Eingangswiderstand R1
2.2kohm
Bauform - Transistor
SOT-363
Transistormontage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
50V
Dauerkollektorstrom
100mA
Basis-Emitter-Widerstand R2
-
Anzahl der Pins
6 Pins
Verlustleistung
200mW
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
80hFE
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000006
Produktnachverfolgung