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TPN2010FNH,L1Q(M
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 9.9 A, 0.198 ohm, TSON, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 5000+ | € 1,020 |
| 15000+ | € 0,691 |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 5000
Mehrere: 5000
€ 5.100,00 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTPN2010FNH,L1Q(M
Bestellnummer4338971
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds250V
Dauer-Drainstrom Id9.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.198ohm
Bauform - TransistorTSON
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung39W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
9.9A
Bauform - Transistor
TSON
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
39W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
250V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.198ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung