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TTA1943(Q)
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3PL, Durchsteckmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTTA1943(Q)
Bestellnummer1901958
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.230V
Dauerkollektorstrom15A
Verlustleistung150W
Bauform - TransistorTO-3PL
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz30MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.80hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Produktbeschreibung
TTA1943 von Toshiba ist ein PNP-Silizium-Epitaxial-Transistor in einem TO-3-Gehäuse zur Durchsteckmontage. Dieser Baustein wird häufig eingesetzt für die Leistungsverstärkung.
- Kollektor-Emitter-Spannung (Vce): -230V
- Kollektorstrom (Ic): -15A
- Verlustleistung (Pd): 150W
- Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung bei -8A Kollektorstrom: -3V
- DC-Stromverstärkung (hFE) bei einem Kollektorstrom von -1A: 80
- Sperrschicht-Betriebstemperatur: ab 150°C
Anwendungen
Power-Management, Unterhaltungselektronik, Tragbare Geräte, Industrie
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
15A
Bauform - Transistor
TO-3PL
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
80hFE
Produktpalette
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
230V
Verlustleistung
150W
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
30MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
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Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.015876