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BPW17N
Fototransistor, 825 nm, 12 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-3/4 (1.8mm)
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| Menge | |
|---|---|
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| 10+ | € 0,510 |
| 25+ | € 0,465 |
| 50+ | € 0,419 |
| 100+ | € 0,374 |
| 500+ | € 0,320 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerBPW17N
Bestellnummer1045523
Technisches Datenblatt
Wellenlänge, typ.825nm
Abstrahlwinkel12°
Stromverbrauch100mW
Anzahl der Pins2Pin(s)
Bauform - TransistorT-3/4 (1.8mm)
Produktpalette-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
- Leaded silicon NPN phototransistor in clear, T-3/4 plastic package with lens
- Dimension is Ø 1.8mm
- High photo sensitivity and high radiant sensitivity
- Suitable for visible and near infrared radiation
- Fast response times
- Angle of half sensitivity is ϕ ± 12°
- Used as detector in electronic control and drive circuits
- 1.0mA collector light current at Ee = 1mW/cm2, λ = 950nm, VCE = 5V
- Wavelength of peak sensitivity is 825nm
Technische Spezifikationen
Wellenlänge, typ.
825nm
Stromverbrauch
100mW
Bauform - Transistor
T-3/4 (1.8mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Abstrahlwinkel
12°
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000151
Produktnachverfolgung