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BPW85C
Fototransistor, 850 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 (3mm)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
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| 50+ | € 0,340 |
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Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
The BPW85C is a Silicon NPN Phototransistor with high radiant sensitivity in clear plastic package. It is sensitive to visible and near infrared radiation. It is suitable for detector in electronic control and drive circuits.
- Leaded package
- High photo sensitivity
- High radiant sensitivity
- Suitable for visible and near infrared radiation
- Fast response time
- ϕ = ±25° Angle of half sensitivity
Anwendungen
Sensortechnik, Automatisierung & Prozesssteuerung
Technische Spezifikationen
Wellenlänge, typ.
850nm
Stromverbrauch
100mW
Bauform - Transistor
T-1 (3mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Abstrahlwinkel
25°
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000215
Produktnachverfolgung