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BPW96B
Fototransistor, 850 nm, 20 °, 150 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
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Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
BPW96B ist eine Silizium-NPN-Fotodiode mit hoher Strahlungsempfindlichkeit in einem transparenten Gehäuse. Diese Fotodiode ist empfindlich gegenüber Strahlung im sichtbaren und nahen Infrarot-Bereich.
- Anschlussdrähte mit Abstandhaltern
- Hohe Lichtempfindlichkeit
- Hohe Strahlungsempfindlichkeit
- Kurze Ansprechzeit
- Winkel für halbe Empfindlichkeit: ± 20°
Anwendungen
Sensortechnik
Technische Spezifikationen
Wellenlänge, typ.
850nm
Stromverbrauch
150mW
Bauform - Transistor
T-1 3/4 (5mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Abstrahlwinkel
20°
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000454
Produktnachverfolgung