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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerIRF830PBF
Bestellnummer8648549
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds500V
Dauer-Drainstrom Id4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand1.5ohm
Bauform - TransistorTO-220AB
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung74W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell IRF830PBF handelt es sich um einen 500V-n-Kanal-SNT-MOSFET mit niedriger Gate-Ladung (Qg) für einfache Ansteuerungsanforderung. Er bietet hohe Betriebsfrequenzen in hart schaltenden Anwendungen. Geeignet für SNT, unterbrechungsfreie Netzteile und High-Speed-Leistungsschaltanwendungen.
- Dynamische Spannungsänderungsrate (dv/dt)
- Wiederholt Avalanche-fähig
- Betriebstemperatur: 150°C
- Einfache Parallelschaltung
- Einfache Ansteuerungsanforderung
Anwendungen
Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
4.5A
Bauform - Transistor
TO-220AB
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
74W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
500V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1.5ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (3)
Alternativen für IRF830PBF
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002
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