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SIHP12N50E-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10.5 A, 0.38 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
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| Menge | |
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| 100+ | € 0,843 |
| 500+ | € 0,732 |
| 1000+ | € 0,689 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIHP12N50E-GE3
Bestellnummer2471942
ProduktpaletteE
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds500V
Dauer-Drainstrom Id10.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.38ohm
Bauform - TransistorTO-220AB
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung114W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteE
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
The SIHP12N50E-GE3 is an E series N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for computing, lighting, consumer electronics, switch mode power supplies and hard switched topology applications.
- Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
- Low input capacitance (CISS)
- Reduced switching
- Reduced conduction losses
- Low gate charge (Qg)
- Avalanche energy rated (UIS)
- Halogen-free
Anwendungen
Industrie, Power-Management, LED-Beleuchtung, Unterhaltungselektronik, Tragbare Geräte
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
10.5A
Bauform - Transistor
TO-220AB
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
114W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
500V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.38ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
E
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SIHP12N50E-GE3
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002159
Produktnachverfolgung