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SUP60020E-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.002 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 3,590 |
| 10+ | € 3,450 |
| 100+ | € 1,810 |
| 500+ | € 1,520 |
| 1000+ | € 1,390 |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSUP60020E-GE3
Bestellnummer3131950
ProduktpaletteTrenchFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id150A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.002ohm
Bauform - TransistorTO-220AB
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung375W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteTrenchFET
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
150A
Bauform - Transistor
TO-220AB
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
375W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.002ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.025