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VEMT2000X01
Fototransistor, 860 nm, 30 °, 2 Pin(s), SMD
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Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Silicon NPN phototransistor suitable for detector in automotive applications, photo interrupters, miniature switches, counters, encoders and position sensors.
- AEC-Q101 qualified
- High radiant sensitivity
- Daylight blocking filter matched with 830nm to 950nm IR emitters
- Fast response times
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Wellenlänge, typ.
860nm
Stromverbrauch
-
Bauform - Transistor
SMD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
AEC-Q101
Abstrahlwinkel
30°
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000084
Produktnachverfolgung