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NXPSC04650DJ
SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, TO-252 (DPAK)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerWEEN SEMICONDUCTORS
HerstellerteilenummerNXPSC04650DJ
Bestellnummer2902396RL
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | € 1,320 |
| 500+ | € 1,050 |
| 1000+ | € 0,973 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerWEEN SEMICONDUCTORS
HerstellerteilenummerNXPSC04650DJ
Bestellnummer2902396RL
Technisches Datenblatt
Produktpalette-
DiodenkonfigurationEinfach
Periodische Spitzensperrspannung650V
Durchschnittlicher Durchlassstrom4A
Kapazitive Gesamtladung-
Bauform - DiodeTO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins2 Pins
Betriebstemperatur, max.175°C
DiodenmontageOberflächenmontage
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Produktpalette
-
Periodische Spitzensperrspannung
650V
Kapazitive Gesamtladung
-
Anzahl der Pins
2 Pins
Diodenmontage
Oberflächenmontage
SVHC
To Be Advised
Diodenkonfiguration
Einfach
Durchschnittlicher Durchlassstrom
4A
Bauform - Diode
TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0005