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WG25R135W1Q
IGBT, 50 A, 1.85 V, 300 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerWEEN SEMICONDUCTORS
HerstellerteilenummerWG25R135W1Q
Bestellnummer4697767
Technisches Datenblatt
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Produktspezifikationen
HerstellerWEEN SEMICONDUCTORS
HerstellerteilenummerWG25R135W1Q
Bestellnummer4697767
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom50A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.85V
Verlustleistung300W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.35kV
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageDurchsteckmontage
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
WG25R135W1Q is an IGBT. It uses advanced Fine Trench Field-stop technology IGBT with monolithic body diode. This device is part of reverse-conducting of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency for soft commutation. Typical applications include microwave ovens, induction heating, resonant converters, soft switching applications.
- Reverse conducting IGBT with monolithic body diode
- Low conduction losses, EMI improved design
- Positive temperature efficient for easy parallel operating
- Collector-emitter breakdown voltage is 1350V min at VGE = 0V; IC = 1mA
- Diode forward voltage is 2.1V typ at VGE = 0V; IF = 25A; Tj = 25°C
- Zero gate voltage collector current is 100μA max at VCE = 1350V; VGE = 0V; Tj = 25°C
- Gate charge is 98nC typ at VCC = 1080V; IC = 25A; VGE = 15V;Tj = 25°C
- Turn-off delay time is 89nS typ at Tj=25°C, IC=25A, VGE=15V / 0V, RG=10 ohm, Cr=300nF, R=2ohm
- TO247 package
- Maximum operating junction temperature is 175°C
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
50A
Verlustleistung
300W
Bauform - Transistor
TO-247
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
-
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.85V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.35kV
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Keine Angabe
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001