LT4356CDE-3#PBF

LT4356-3 ist ein Überspannungsschutzbaustein zum Schutz von Lasten vor Hochspannungstransienten. Dieser Baustein regelt den Ausgang während eines Überspannungsereignisses wie Load-Dump in Fahrzeugen durch Steuerung des Gates eines externen n-Kanal-MOSFETs. Der Ausgang ist auf einen sicheren Wert begrenzt, sodass Lasten weiterhin funktionieren können. Der Baustein überwacht zudem den Spannungsabfall zwischen dem VCC- und dem SNS-Pin zum Schutz vor Fehlern aufgrund von Überstrom. Ein interner Verstärker begrenzt die Strommessspannung auf 50mV. In beiden Fehlerfällen wird ein Timer umgekehrt proportional zur Belastung des MOSFETs gestartet. Wenn der Timer abläuft, wird der low-aktive FLT-Pin in den Low-Zustand versetzt, um vor einer drohenden Abschaltung zu warnen. Wenn die Bedingung weiterhin besteht, wird der MOSFET ausgeschaltet, bis der low-aktive SHDN-Pin kurzzeitig in den Low-Zustand geht. Back-to-Back-FETs können anstelle einer Schottky-Diode zum Verpolungsschutz von Eingängen genutzt werden, wobei sich der Spannungsabfall und die Verlustleistung reduzieren. Typische Anwendungen umfassen: Überspannungsschutz in Kfz-/Luftfahrtelektronik, Hot-Swap/Einstecken im laufenden Betrieb, High-Side-Schalter für akku-/batteriebetriebene Systeme.

• Stoppt Hochspannungsstöße; einstellbare Begrenzungsspannung am Ausgang; Überstromschutz
• Großer Betriebsspannungsbereich: 4V bis 80V; Verpolungsschutz am Eingang bis -60V
• Niedriger Abschaltstrom: 7µA; einstellbarer Fehler-Timer für Abschaltung
• Steuert den n-Kanal-MOSFET
• Abschalt-Pin hält -60V bis 100V stand
• Fehleranzeige am Ausgang
• Zusätzlicher Verstärker für Komparator zur Pegelerkennung oder Linearregler
• VCC-Versorgungsstrom: typ. 1mA bei V (low-aktiv) SHDN = potentialfrei
• 12-poliges DFN-Kunststoffgehäuse; Temperaturbereich: 0°C bis 70°C

Hinweise

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