LTC4358IDE#PBF

LTC®4358 ist eine ideal Diode für 5A, die einen internen n-Kanal-MOSFET mit 20 mOhm als Ersatz für eine Schottky-Diode in Dioden-OR- und Hochstrom-Dioden-Anwendungen nutzt. Die LTC4358 reduziert den Stromverbrauch, die Wärmeableitung sowie den Platzverbrauch auf der Leiterplatte. Sie ermöglicht eine einfach OR-Verknüpfung von Stromversorgungen, um die Zuverlässigkeit des Gesamtsystems zu steigern. In Dioden-OR-Anwendungen reguliert sie den Durchlassspannungsabfall über den internen MOSFET, um einen glatten Stromübergang vom einen Pfad auf den anderen ohne Oszillation zu gewährleisten. Typische Anwendungen umfassen: N+1-redundante Stromversorgungen, Systeme mit hoher Zuverlässigkeit, Telekommunikationsinfrastruktur, Fahrzeugelektronik.

• Reibungsloses Umschalten ohne Oszillation
• Kein DC-Strom in Sperrrichtung
• Versorgungsspannung im Betrieb: 9V bis 26.5V (TA = 25°C, VOUT = VDD, VDD = 9V bis 26.5V)
• Strom am IN-Pin: typ. 350μA (VIN = VOUT ± 1V, ohne Last, TA = 25°C)
• Strom am OUT-Pin: typ. 80μA (VIN = VOUT ± 1V, ohne Last, TA = 25°C)
• Pullup-Strom, n-Kanal-Gate: typ. -20μA (VGATE = VIN, VIN - VOUT = 0.1V, TA = 25°C)
• Ausschaltzeit: typ. 300ns (TA = 25°C. VOUT = VDD, VDD = 9V bis 26.5V)
• Durchlassspannungsabfall, Body-Diode: typ. 0.8V (IIN = 5A, MOSFET aus, TA = 25°C)
• 14-poliges DFN-Kunststoffgehäuse
• Temperaturbereich: -40°C bis 85°C

Hinweise

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