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IXFA80N25X3.
MOSFET, N-CH, 250V, 80A, TO-263
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerLITTELFUSE
HerstellerteilenummerIXFA80N25X3.
Bestellnummer3771249
ProduktpaletteHiPERFET X3 Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 9,300 |
| 25+ | € 7,280 |
| 100+ | € 5,250 |
| 250+ | € 5,030 |
| 500+ | € 4,790 |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerLITTELFUSE
HerstellerteilenummerIXFA80N25X3.
Bestellnummer3771249
ProduktpaletteHiPERFET X3 Series
Technisches Datenblatt
KanaltypN Channel
Drain-Source-Spannung Vds250V
Dauer-Drainstrom Id80A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.016ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageSurface Mount
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.5V
Verlustleistung390W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteHiPERFET X3 Series
Qualifikation-
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
N Channel
Dauer-Drainstrom Id
80A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
390W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
250V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.016ohm
Transistormontage
Surface Mount
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
HiPERFET X3 Series
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00196