Galliumnitrid (GaN)-FETs

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Wandlerpolarität Dauer-Drainstrom Id Drain-Source-Spannung Vds Durchgangswiderstand, Rds(on), max. Gate-Ladung (Qg), typ. Betriebswiderstand, Rds(on) Bauform - Transistor Rds(on)-Messspannung Vgs Transistormontage Schwellenspannung Vgs Verlustleistung Pd Anzahl der Pins Betriebstemperatur, max. Produktpalette Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
GAN063-650WSAQ
GAN063-650WSAQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, Gan FET, 650 V, 34.5 A, 0.06 ohm, 15 nC, TP-247, Durchsteckmontage

3106435

Galliumnitrid (GaN)-Transistor, Gan FET, 650 V, 34.5 A, 0.06 ohm, 15 nC, TP-247, Durchsteckmontage

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- 34.5A 650V 0.06ohm 15nC - TP-247 - Durchsteckmontage - - 3Pin(s) - - AEC-Q101
GAN041-650WSBQ
GAN041-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage

3759053

Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage

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IGLD60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.055 ohm, 5.8 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage

2981535

Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.055 ohm, 5.8 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage

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MRF24G300HS-2450
MRF24G300HS-2450 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, GaN, 125 V

3280903

Galliumnitrid (GaN)-Transistor, GaN, 125 V

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IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, PG-DSO-20-87, Oberflächenmontage

2981533

Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, PG-DSO-20-87, Oberflächenmontage

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IGT60R070D1ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, PG-HSOF-8-3, Oberflächenmontage

2981532

Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, PG-HSOF-8-3, Oberflächenmontage

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IGO60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.055 ohm, 5.8 nC, PG-DSO-20-85, Oberflächenmontage

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Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.055 ohm, 5.8 nC, PG-DSO-20-85, Oberflächenmontage

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IGO60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.055 ohm, 5.8 nC, PG-DSO-20-85, Oberflächenmontage

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Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.055 ohm, 5.8 nC, PG-DSO-20-85, Oberflächenmontage

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IGT60R070D1ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, PG-HSOF-8-3, Oberflächenmontage

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IGT60R190D1SATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.5 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, Oberflächenmontage

2981534

Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.5 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, Oberflächenmontage

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IGLD60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.055 ohm, 5.8 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage

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Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.055 ohm, 5.8 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage

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MRF24G300HSR5 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, GaN, 125 V

3280902

Galliumnitrid (GaN)-Transistor, GaN, 125 V

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IGLD60R190D1AUMA1
IGLD60R190D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage

3407386

Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage

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MRF24G300HSR5
MRF24G300HSR5 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, GaN, 125 V

3280902RL

Galliumnitrid (GaN)-Transistor, GaN, 125 V

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IGLD60R190D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage

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Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage

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IGOT60R070D1AUMA1
IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, PG-DSO-20-87, Oberflächenmontage

2981533RL

Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, PG-DSO-20-87, Oberflächenmontage

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n-Kanal 31A 600V 0.07ohm 5.8nC 0.055ohm PG-DSO-20-87 - Oberflächenmontage 1.2V 125W 20Pin(s) 150°C CoolGaN Series -
IGT60R190D1SATMA1
IGT60R190D1SATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.5 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, Oberflächenmontage

2981534RL

Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.5 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, Oberflächenmontage

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n-Kanal 12.5A 600V 0.14ohm 3.2nC 0.14ohm PG-HSOF-8-3 - Oberflächenmontage 1.2V 55.5W 8Pin(s) 150°C CoolGaN Series -