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GAN041-650WSBQ
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 5+ | € 15,090 |
| 10+ | € 14,390 |
| 50+ | € 13,850 |
| 100+ | € 13,600 |
| 250+ | € 12,320 |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerGAN041-650WSBQ
Bestellnummer3759053
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id47.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.041ohm
Gate-Ladung, typ.22nC
Bauform - TransistorTO-247
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
GAN041-650WSBQ is a 650V, 35mohm Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247 package. It is a normally-off device that combines Nexperia’s latest high-voltage GaN HEMT H2 technology and low-voltage silicon MOSFET technologies — offering superior reliability and performance. The applications include hard and soft switching converters for industrial and datacom power, bridgeless totempole PFC, PV, and UPS inverters, and servo motor drives.
- Ultra-low reverse recovery charge, simple gate drive (0V to +10V or 12V), robust gate oxide (±20V)
- High gate threshold voltage (+4V) for very good gate bounce immunity
- Very low source-drain voltage in reverse conduction mode, transient over-voltage capability (800V)
- Drain-source voltage is 650V max (55°C ≤ Tj ≤ 175°C)
- Drain current is 47.2A max (VGS = 10V; Tmb = 25°C), total power dissipation is 187W max (Tmb = 25°C)
- Drain-source on-state resistance is 35mohm typ (VGS = 10V; ID = 32A; Tj = 25°C)
- Gate-drain charge is 6.6nC typ (ID = 32A; VDS = 400V; VGS = 10V; Tj = 25°C)
- Total gate charge is 22nC typ (ID = 32A; VDS = 400V; VGS = 10V; Tj = 25°C)
- Recovered charge is 150nC typ (IS = 32A; dIS/dt = -1000A/µs; VGS = 0V; VDS = 400V)
- 3 leads SOT429 package, junction temperature range from -55 to 175°C
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.041ohm
Bauform - Transistor
TO-247
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
47.2A
Gate-Ladung, typ.
22nC
Transistormontage
Durchsteckmontage
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004749
Produktnachverfolgung