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GAN140-650EBEZ
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
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| Menge | |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerGAN140-650EBEZ
Bestellnummer4198480RL
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.106ohm
Gate-Ladung, typ.3.5nC
Bauform - TransistorDFN8080
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins8Pin(s)
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.106ohm
Bauform - Transistor
DFN8080
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
17A
Gate-Ladung, typ.
3.5nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000012
Produktnachverfolgung