Namhafte Hersteller
8.8A Galliumnitrid (GaN)-FETs:
2 Produkte gefundenAnsicht
Einkäufer
Ingenieur
Hersteller
Drain-Source-Spannung Vds
Dauer-Drainstrom Id
Drain-Source-Durchgangswiderstand
Gate-Ladung, typ.
Bauform - Transistor
Transistormontage
Anzahl der Pins
Verpackung
Angewandte(r) Filter
1 Ausgewählte(r) Filter
| Vergleichen | Preiseinheit | Menge | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Stück (Gurtabschnitt) Gurtabschnitte | 1+ € 3,800 10+ € 3,190 100+ € 2,720 500+ € 2,450 1000+ € 2,160 | Min.: 1 / Mult.: 1 | 700V | 8.8A | 0.235ohm | 1.6nC | PDFN | Oberflächenmontage | 8Pin(s) | |||||
Stück (Gurtabschnitt) Gurtabschnitte | 1+ € 3,740 10+ € 3,140 100+ € 2,670 500+ € 2,410 1000+ € 2,130 | Min.: 1 / Mult.: 1 | 700V | 8.8A | 0.235ohm | 1.6nC | PDFN | Oberflächenmontage | 8Pin(s) | |||||
