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0.058ohm Galliumnitrid (GaN)-FETs:
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Ingenieur
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Drain-Source-Spannung Vds
Dauer-Drainstrom Id
Drain-Source-Durchgangswiderstand
Gate-Ladung, typ.
Bauform - Transistor
Transistormontage
Anzahl der Pins
Verpackung
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| Vergleichen | Preiseinheit | Menge | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Stück (Gurtabschnitt) Gurtabschnitte | 1+ € 10,990 5+ € 9,230 10+ € 7,850 50+ € 7,080 100+ € 6,260 Weitere Preise … | Min.: 1 / Mult.: 1 | 700V | 40A | 0.058ohm | 6.7nC | TOLL | Oberflächenmontage | 8Pin(s) | |||||
Stück (Gurtabschnitt) Gurtabschnitte | 1+ € 10,990 5+ € 9,230 10+ € 7,850 50+ € 7,080 100+ € 6,260 Weitere Preise … | Min.: 1 / Mult.: 1 | 700V | 40A | 0.058ohm | 6.7nC | TOLL | Oberflächenmontage | 8Pin(s) | |||||
