0.106ohm Galliumnitrid (GaN)-FETs

Angewandte(r) Filter

Drain-Source-Durchgangswiderstand

0.106ohm

			Preiseinheit		Menge

GAN140-650EBEZ	4198480 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	NEXPERIA Galliumnitrid (GaN)-Transistor 650 V 17 A 0.106 ohm 3.5 nC DFN8080 Oberflächenmontage	Stück (Gurtabschnitt) Gurtabschnitte	1+ € 4,710 10+ € 4,170 100+ € 3,520 500+ € 3,160 1000+ € 3,040	Min.: 1 / Mult.: 1	650V	17A	0.106ohm	3.5nC	DFN8080	Oberflächenmontage	8Pin(s)
GAN140-650EBEZ	4198480RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	NEXPERIA Galliumnitrid (GaN)-Transistor 650 V 17 A 0.106 ohm 3.5 nC DFN8080 Oberflächenmontage	Stück (Gurtabschnitt) Re-Reeling Verpackungsoptionen	100+ € 3,520 500+ € 3,160 1000+ € 3,040	Min.: 100 / Mult.: 1	650V	17A	0.106ohm	3.5nC	DFN8080	Oberflächenmontage	8Pin(s)
GAN140-650FBEZ	4198479 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	NEXPERIA Galliumnitrid (GaN)-Transistor 650 V 17 A 0.106 ohm 3.5 nC DFN5060 Oberflächenmontage	Stück (Gurtabschnitt) Gurtabschnitte	1+ € 4,170 10+ € 3,900 100+ € 3,770 500+ € 3,640 1000+ € 3,460	Min.: 1 / Mult.: 1	650V	17A	0.106ohm	3.5nC	DFN5060	Oberflächenmontage	8Pin(s)
GAN140-650FBEZ	4198479RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	NEXPERIA Galliumnitrid (GaN)-Transistor 650 V 17 A 0.106 ohm 3.5 nC DFN5060 Oberflächenmontage	Stück (Gurtabschnitt) Re-Reeling Verpackungsoptionen	100+ € 3,770 500+ € 3,640 1000+ € 3,460	Min.: 100 / Mult.: 1	650V	17A	0.106ohm	3.5nC	DFN5060	Oberflächenmontage	8Pin(s)