CY15B104Q-SXI

Der CY15B104Q-SXI ist ein serieller (SPI) FRAM-Speicherbaustein mit einer Speichertiefe von 4Mbit (512 K × 8). Der nichtflüchtige Speicher verwendet ein fortschrittliches ferroelektrisches Verfahren und führt als FRAM (Ferroelectric Random-Access Memory) Lese- und Schreibvorgänge ähnlich einem RAM aus. Der Speicher-IC gewährleistet die zuverlässige Datenspeicherung für bis zu 151 Jahre, und zwar ohne die Komplexität, Kosten und Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die bei seriellen Flash-Speichern, EEPROMs und anderen nichtflüchtigen Speichern entstehen. Die Schreibvorgänge erfolgen, anders als bei einem seriellen Flash oder EEPROM, mit Bus-Geschwindigkeit. Es treten keine Schreibverzögerungen auf. Daten werden sofort, nachdem jedes Byte erfolgreich an den Baustein übertragen wurde, in das Speicherarray geschrieben. Der nächste Buszyklus kann ohne vorherigen Datenabruf beginnen. Zudem bietet der Speicherbaustein eine sehr viel längere Lebensdauer im Vergleich zu anderen nichtflüchtigen Speichern. Typische Anwendungen umfassen: Lifestyle- und Gesundheitsgeräte für vernetzte Menschen, Verbraucherelektronik, Luft- und Raumfahrt.

• Spannungsbereich: 2.0V bis 3.6V; Speicherdichte: 4Mbit; SPI-FRAM-Speicher
• 4Mbit-FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) logisch organisiert als 512 K × 8
• Lange Lebensdauer: 100 Billionen Lese-/Schreibvorgänge; Datenspeicherung: 151 Jahre
• No Delay™-Schreibvorgang ohne Verzögerung, fortschrittliches, sehr zuverlässiges ferroelektrisches Verfahren
• Direkter Hardware-Ersatz für seriellen Flash und EEPROM
• Hardware-Schutz über Write Protect-Pin (low-aktiver WP)
• Software-Schutz über Schreibschutzbefehl (Schreiben deaktivieren); Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder das gesamte Array
• Stromaufnahme im aktiven Modus: 300µA bei 1MHz; VDD-Standby-Strom: typ. 100µA (TA=25°C)
• Stromaufnahme im Ruhemodus: typ. 3µA (TA=25°C)
• 8-poliges SOIC-Gehäuse; industrieller Betriebstemperaturbereich: -40°C bis +85°C