CY62128ELL-45SXI

CY62128ELL-45SXI ist ein leistungsstarker 1MB-CMOS-SRAM, organisiert als 128000 Wörter x 8 Bit. Dieser Baustein verfügt über ein fortschrittliches Schaltungsdesign für einen äußerst niedrigen Wirkstrom. Er ist ideal zum Bereitstellen von More Battery Life™ (MoBL®) in tragbaren Anwendungen. Zudem verfügt er über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch deutlich reduziert, wenn die Adressen nicht wechseln. Wenn der Baustein in den Standby-Modus versetzt wird, wird der Stromverbrauch um mehr als 99% reduziert (deaktiviert). Die acht Eingangs- und Ausgangspins werden in einen hochimpedanten Zustand versetzt, wenn der Baustein deaktiviert wird, die Ausgänge deaktiviert werden oder ein Schreibvorgang ausgeführt wird. Zum Schreiben in den Speicher müssen die Chip Enable- und Write Enable-Eingänge in den LOW-Zustand versetzt werden. Zum Lesen aus dem Speicher müssen sich Chip Enable und Output Enable im LOW-Zustand befinden, während Write Enable in den HIGH-Zustand gezwungen wird. Unter diesen Bedingungen werden die durch die Adress-Pins spezifizierten Inhalte des Speicherplatzes an den I/O-Pins angezeigt.

• Sehr hohe Geschwindigkeit: 45ns
• Pinkompatibel mit CY62128B
• Äußerst niedriger Stromverbrauch im Standby-Modus
• Äußerst niedriger Wirkstrom
• Einfache Speichererweiterung mit CE1, CE2 und OE
• Automatische Abschaltung im deaktivierten Zustand
• CMOS für optimale Geschwindigkeit/Leistung

Anwendungen

Computer & Computerperipheriegeräte, Industrie, Tragbare Geräte