CY62146EV30LL-45ZSXIT

Der CY62146EV30LL-45ZSXIT ist ein leistungsstarker CMOS-basierter statischer RAM-Baustein mit einer Speicherdichte von 4Mbit, der als 256K Wörter mal 16 Bit organisiert ist. Der Speicherbaustein verwendet ein fortschrittliches Schaltungsdesign, das eine äußerst niedrige Stromaufnahme im aktiven Modus bietet, die ideal ist, wenn es darum geht, eine längere Batterielaufzeit in tragbaren Anwendungen wie Mobiltelefonen zu erzielen. Zudem verfügt er über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch deutlich, um bis zu 80%, reduziert, wenn die Adressen nicht wechseln. Durch Umschalten in den Standby-Modus wird der Stromverbrauch bei Abwahl des Bausteins (low-aktiver CE ist HIGH) um über 99% reduziert. Typische Anwendungen umfassen: industrielle Automatisierung.

• VCC-Bereich: 2.2V bis 3.6V; Geschwindigkeit: 45ns
• ICC im Betrieb: typ. ab 3.5mA (f=1MHz, VCC=VCC(typ), TA=25°C)
• ISB2 im Standby: typ. 2.5µA (VCC=VCC(typ), TA=25°C)
• Pinkompatibel mit CY62146DV30
• Stromaufnahme im aktiven Modus: typ. 3.5mA bei f=1MHz
• Einfache Speichererweiterung mit low-aktivem CE und low-aktivem OE
• Automatische Abschaltung im deaktivierten Zustand
• CMOS-Technologie (komplementärer Metalloxid-Halbleiter) für optimale Geschwindigkeit und Leistung
• Eingangs- und Ausgangskapazität: max. 10pF (TA=25°C, f=1MHz, VCC=VCC(typ))
• 44-poliges TSOP II-Gehäuse; industrieller Temperaturbereich: -40°C bis +85°C