CY62148ELL-55SXIT

Der CY62148ELL-55SXIT ist ein leistungsstarker CMOS-basierter statischer RAM-Baustein mit einer Speicherdichte von 4Mbit, der als 512K Wörter mal 8 Bit organisiert ist. Der Speicherbaustein verwendet ein fortschrittliches Schaltungsdesign, das eine äußerst niedrige Stromaufnahme im Standby-Modus bietet, die ideal ist, wenn es darum geht, eine längere Batterielaufzeit in tragbaren Anwendungen zu erzielen. Zudem verfügt er über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch deutlich reduziert, wenn die Adressen nicht wechseln. Durch Umschalten in den Standby-Modus wird der Stromverbrauch bei Abwahl des Bausteins (low-aktiver CE ist HIGH) um über 99% reduziert. Die acht Eingangs- oder Ausgangspins (I/O0 bis I/O7) werden in einen hochimpedanten Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt wird (low-aktiver CE ist HIGH), der Ausgang deaktiviert wird (low-aktiver OE ist HIGH) oder ein Schreibvorgang ausgeführt wird (low-aktiver CE ist LOW und WE ist LOW). Typische Anwendungen umfassen: intelligente Alarmanlagen.

• VCC-Bereich: 4.5V bis 5.5V; Geschwindigkeit: 45ns
• ICC im Betrieb: typ. ab 3.5mA (f=1MHz, VCC=VCC(typ), TA=25°C)
• ISB2 im Standby: typ. 2.5µA (VCC=VCC(typ), TA=25°C)
• Pinkompatibel mit CY62148B
• Stromaufnahme im aktiven Modus: typ. 3.5mA bei f=1MHz
• Einfache Speichererweiterung mit low-aktivem CE und low-aktivem OE
• Automatische Abschaltung im deaktivierten Zustand
• CMOS-Technologie (komplementärer Metalloxid-Halbleiter) für optimale Geschwindigkeit und Leistung
• Eingangs- und Ausgangskapazität: max. 10pF (TA=25°C, f=1MHz, VCC=VCC(typ))
• 32-poliges SOIC-Gehäuse; industrieller Temperaturbereich: -40°C bis +85°C