FM25L16B-G

Der FM25L16B-G ist ein serieller (SPI) FRAM-Speicherbaustein mit einer Speichertiefe von 16kbit (2K × 8). Der nichtflüchtige Speicher verwendet ein fortschrittliches ferroelektrisches Verfahren und führt als FRAM (Ferroelectric Random-Access Memory) Lese- und Schreibvorgänge ähnlich einem RAM aus. Der Speicher-IC gewährleistet die zuverlässige Datenspeicherung für bis zu 151 Jahre, und zwar ohne die Komplexität, Kosten und Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die bei seriellen Flash-Speichern, EEPROMs und anderen nichtflüchtigen Speichern entstehen. Die Schreibvorgänge erfolgen beim FM25L16B, anders als bei einem seriellen Flash oder EEPROM, mit Bus-Geschwindigkeit. Es treten keine Schreibverzögerungen auf. Daten werden sofort, nachdem jedes Byte erfolgreich an den Baustein übertragen wurde, in das Speicherarray geschrieben. Der nächste Buszyklus kann ohne vorherigen Datenabruf beginnen. Typische Anwendungen umfassen: universeller Motorantrieb mit variierender Frequenz und Spannung.

• Spannungsbereich: 2.7V bis 3.6V; Speicherdichte: 16kbit; SPI-FRAM-Speicher
• 16kbit-FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) logisch organisiert als 2K × 8
• Lange Lebensdauer: 100 Billionen Lese-/Schreibvorgänge; Datenspeicherung: 151 Jahre
• No Delay™-Schreibvorgang ohne Verzögerung, fortschrittliches, sehr zuverlässiges ferroelektrisches Verfahren
• Direkter Hardware-Ersatz für seriellen Flash und EEPROM; unterstützt SPI-Modus 0 (0,0) und Modus 3 (1,1)
• Hardware-Schutz über Write Protect-Pin (low-aktiver WP)
• Software-Schutz über Schreibschutzbefehl (Schreiben deaktivieren); Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder das gesamte Array
• VDD-Standby-Strom: max. 3µA (low-aktiv, CS=VDD, alle anderen Eingänge VSS oder VDD)
• Kapazität am Ausgangspin (SO): max. 8pF (TA=25°C, f=1MHz, VDD=VDD(typ))
• 8-poliges SOIC-Gehäuse; industrieller Betriebstemperaturbereich: -40°C bis +85°C