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DMC3016LNS-7
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.016 ohm
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMC3016LNS-7
Bestellnummer2709539
Technisches Datenblatt
KanaltypKomplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal30V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.016ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.028ohm
Bauform - TransistorPowerDI3333
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal1.3W
Verlustleistung, p-Kanal1.3W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
Komplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.028ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
1.3W
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.016ohm
Bauform - Transistor
PowerDI3333
Verlustleistung, n-Kanal
1.3W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000034
Produktnachverfolgung