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DMN53D0LDW-13
Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 360 mA, 360 mA, 1 ohm
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | € 0,286 |
| 10+ | € 0,175 |
| 100+ | € 0,0839 |
| 500+ | € 0,0701 |
| 1000+ | € 0,0544 |
| 5000+ | € 0,0482 |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMN53D0LDW-13
Bestellnummer3944117
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal50V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal50V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal360mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal360mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal1ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal1ohm
Bauform - TransistorSOT-363
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal310mW
Verlustleistung, p-Kanal310mW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
50V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
360mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
1ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
310mW
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
50V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
360mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
1ohm
Bauform - Transistor
SOT-363
Verlustleistung, n-Kanal
310mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung