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B82432C1102K000
Drahtgewickelte Induktivität, AEC-Q200, 1 µH, 0.28 ohm, 200 MHz, 600 mA, 1812 [Metrisch 4532]
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerEPCOS
HerstellerteilenummerB82432C1102K000
Bestellnummer3580929RL
ProduktpaletteB82432C SIMID Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 50+ | € 0,544 |
| 250+ | € 0,470 |
| 500+ | € 0,436 |
| 1000+ | € 0,407 |
| 2500+ | € 0,356 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerEPCOS
HerstellerteilenummerB82432C1102K000
Bestellnummer3580929RL
ProduktpaletteB82432C SIMID Series
Technisches Datenblatt
Induktivität1µH
DC-Widerstand, max.0.28ohm
Eigenresonanzfrequenz200MHz
DC-Nennstrom600mA
Bauform/Gehäuse der Induktivität1812 [Metrisch 4532]
Bauform - Induktivität1812 [Metrisch 4532]
ProduktpaletteB82432C SIMID Series
Induktivitätstoleranz± 10%
Bauart der InduktivitätUngeschirmt
KernmaterialFerrit
Produktlänge4.5mm
Produktbreite3.2mm
Produkthöhe3.2mm
Technische Spezifikationen
Induktivität
1µH
Eigenresonanzfrequenz
200MHz
Bauform/Gehäuse der Induktivität
1812 [Metrisch 4532]
Produktpalette
B82432C SIMID Series
Bauart der Induktivität
Ungeschirmt
Produktlänge
4.5mm
Produkthöhe
3.2mm
DC-Widerstand, max.
0.28ohm
DC-Nennstrom
600mA
Bauform - Induktivität
1812 [Metrisch 4532]
Induktivitätstoleranz
± 10%
Kernmaterial
Ferrit
Produktbreite
3.2mm
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85045000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0005
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