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AUIRF7749L2TR
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 0.0011 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 6,440 |
| 5+ | € 5,670 |
| 10+ | € 4,890 |
| 50+ | € 4,180 |
| 100+ | € 3,430 |
| 250+ | € 3,360 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerAUIRF7749L2TR
Bestellnummer2781045
ProduktpaletteHEXFET
Auch bekannt alsSP001521068
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id345A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0011ohm
Bauform - TransistorDirectFET L8
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung341W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteHEXFET
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
345A
Bauform - Transistor
DirectFET L8
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
341W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0011ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
HEXFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung