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BFP183WH6327XTSA1
Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-343
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBFP183WH6327XTSA1
Bestellnummer2726096
Auch bekannt alsBFP 183W H6327, SP000745244
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | € 0,219 |
| 10+ | € 0,132 |
| 100+ | € 0,105 |
| 500+ | € 0,0911 |
| 1000+ | € 0,0867 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBFP183WH6327XTSA1
Bestellnummer2726096
Auch bekannt alsBFP 183W H6327, SP000745244
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.12V
Übergangsfrequenz8GHz
Verlustleistung450mW
Dauer-Kollektorstrom65mA
Bauform - TransistorSOT-343
Anzahl der Pins4Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.70hFE
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Übergangsfrequenz
8GHz
Dauer-Kollektorstrom
65mA
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
12V
Verlustleistung
450mW
Bauform - Transistor
SOT-343
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
70hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000048