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BSC067N06LS3GATMA1

Name: Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Brand: INFINEON
SKU: 2212831RL
Availability: InStock

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage

Date/Lot Code

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

HerstellerINFINEON

HerstellerteilenummerBSC067N06LS3GATMA1

Bestellnummer2212831RL

Auch bekannt alsBSC067N06LS3 G, SP000451084

Technisches Datenblatt

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Menge
100+	€ 0,776
500+	€ 0,544
1000+	€ 0,482
5000+	€ 0,469

Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)

Minimum: 100

Mehrere: 5

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Produktspezifikationen

HerstellerINFINEON

HerstellerteilenummerBSC067N06LS3GATMA1

Bestellnummer2212831RL

Auch bekannt alsBSC067N06LS3 G, SP000451084

Technisches Datenblatt

Data Sheet

Kanaltypn-Kanal

Drain-Source-Spannung Vds60V

Dauer-Drainstrom Id50A

Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0054ohm

Bauform - TransistorSuperSOT

TransistormontageOberflächenmontage

Rds(on)-Prüfspannung10V

Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.7V

Verlustleistung69W

Anzahl der Pins8Pin(s)

Betriebstemperatur, max.150°C

Produktpalette-

Qualifikation-

MSLMSL 1 - unbegrenzt

SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)

Produktbeschreibung

BSC067N06LS3 G ist ein n-Kanal-Leistungs-MOSFET für 60V, der für die Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen optimiert ist, wie sie in Servern, Desktop-Rechnern und Tablet-Ladegeräten verwendet werden. Dank deutlich reduzierter Gate-Ladung und Ausgangsladung wird ein hoher Systemwirkungsgrad und eine hohe Leistungsdichte erreicht. Der OptiMOS™-Leistungs-MOSFET ist ideal geeignet für hohe Schaltfrequenzen und DC/DC-Wandler.

Höchster Systemwirkungsgrad
Erfordert weniger Parallelschaltung
Höhere Leistungsdichte
Platzsparend
Sehr geringes Spannungsüberschwingen
Herausragender Wärmewiderstand

Anwendungen

Power-Management, Alternative Energien, Motorantrieb & -steuerung, Industrie

Warnungen und Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.

Technische Spezifikationen

Kanaltyp

n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id

50A

Bauform - Transistor

SuperSOT

Rds(on)-Prüfspannung

10V

Verlustleistung

69W

Betriebstemperatur, max.

150°C

Qualifikation

SVHC

No SVHC (21-Jan-2025)

Drain-Source-Spannung Vds

60V

Drain-Source-Durchgangswiderstand

0.0054ohm

Transistormontage

Oberflächenmontage

Gate-Source-Schwellenspannung, max.

1.7V

Anzahl der Pins

8Pin(s)

Produktpalette

MSL

MSL 1 - unbegrenzt

Technische Dokumente (1)

Technical Data Sheet EN

Alternativen für BSC067N06LS3GATMA1

1 Produkt(e) gefunden

Gesetzgebung und Umweltschutz

Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

Tarif-Nr.:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

RoHS-konform:Ja

RoHS

RoHS-Phthalate-konform:Ja

RoHS

SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)

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Produkt-Konformitätszertifikat

Gewicht (kg):.0002

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