BSC077N12NS3GATMA1

Beim Modell BSC077N12NS3 G handelt es sich um einen OptiMOS™-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der den branchenweit niedrigsten Durchgangswiderstand (RDS(on)) und die höchsten Schaltfrequenzen bietet, wodurch eine herausragende Leistung in zahlreichen Anwendungen erzielt wird. Die 120V-OptiMOS™-Technologie bietet neue Möglichkeiten für optimierte Lösungen.

• Hervorragende Schaltleistung
• Niedrigster Durchgangswiderstand RDS(on)
• Sehr niedrige Qg und Qgd
• Hervorragende Gütezahl (FOM, Gateladung x RDS(ON))
• MSL1-Einstufung 2
• Umweltfreundlich
• Höherer Wirkungsgrad
• Höchste Leistungsdichte
• Erfordert weniger Parallelschaltung
• Kleinster Platzverbrauch auf der Platine
• Vereinfachtes Produktdesign
• Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen
• Halogenfrei, umweltfreundlich
• Ideal für Hochfrequenz-Schaltanwendungen und Synchrongleichrichtung
• Normal-Level

Anwendungen

Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Computer & Computerperipheriegeräte, Tragbare Geräte, LED-Beleuchtung

Warnungen und Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.