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BSM10GD120DN2BOSA1
IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 15 A, 3.2 V, 80 W, 125 °C, EconoPACK
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSM10GD120DN2BOSA1
Bestellnummer1496947
ProduktpaletteCompute Module 3+ Series
Auch bekannt alsBSM10GD120DN2, SP000100367
Technisches Datenblatt
Wird nicht mehr hergestellt.
Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSM10GD120DN2BOSA1
Bestellnummer1496947
ProduktpaletteCompute Module 3+ Series
Auch bekannt alsBSM10GD120DN2, SP000100367
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationDreiphasen-Vollbrücke
Wandlerpolaritätn-Kanal
Dauerkollektorstrom15A
DC-Kollektorstrom15A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung3.2V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)3.2V
Verlustleistung Pd80W
Verlustleistung80W
Betriebstemperatur, max.125°C
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo1.2kV
Sperrschichttemperatur Tj, max.125°C
Bauform - TransistorEconoPACK
IGBT-AnschlussEinpressmontage
Anzahl der Pins17Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.2kV
IGBT-Technologie-
TransistormontagePlatte
ProduktpaletteCompute Module 3+ Series
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Produktbeschreibung
BSM10GD120DN2 ist ein 1200V-IGBT-Leistungsmodul mit 3-Phasen-Vollbrücke und Freilaufdioden mit kurzer Erholzeit.
Anwendungen
Power-Management
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Dreiphasen-Vollbrücke
Dauerkollektorstrom
15A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
3.2V
Verlustleistung Pd
80W
Betriebstemperatur, max.
125°C
Sperrschichttemperatur Tj, max.
125°C
IGBT-Anschluss
Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.2kV
Transistormontage
Platte
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Wandlerpolarität
n-Kanal
DC-Kollektorstrom
15A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
3.2V
Verlustleistung
80W
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
1.2kV
Bauform - Transistor
EconoPACK
Anzahl der Pins
17Pin(s)
IGBT-Technologie
-
Produktpalette
Compute Module 3+ Series
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.18